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TOP > ビジネスニュース > 4nmの生産を2020年に開始、サムスンが宣言
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4nmの生産を2020年に開始、サムスンが宣言

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1 :ノチラ ★:2017/06/21(水) 13:54:42.42 ID:CAP_USER.net

韓国Samsung Electronics社は、ファンドリー事業の2020年までのプロセスロードマップを、54th Design Automation Conference(2017年6月18日~22日)と同じ米国オースチンで開かれたイベント「Enabling the Next Wave of Design Innovation」(米Synopsys社とSamsungが6月20日に共催)で公開した。2020年には、同社独自のトランジスタ「MBCFET(Multi-Bridge-Channel MOSFET)」を使って、4nmの生産を始めるという。

 同社は2017年5月24日にシリコンバレーでプライベートイベント「2017 Samsung Foundry Forum」を開催しており、その際に公開したロードマップを今回のイベントでも見せたようだ。今回、Samsungのプレゼンテーションを行ったのはKuang-Kuo Lin氏(Director, Foundry Mareketing (Ecosystem)である。

同氏が最初に見せたのが、Samsungの半導体事業におけるファンドリー部門のポジションが上がったという内容のスライドである。これまで、同社の半導体事業はメモリーとシステムLSIの2部門からなっていたが、ファンドリー事業が好調なため、これら2部門と並ぶようになった。すなわち、現在、Samsungの半導体事業は、メモリー、システムLSI、ファンドリーの3部門制になり、ファンドリー事業の発言権が大きくなったとのことだった。

続いて、量産中の世代の3つのプロセス、すなわち、28nmFD-SOI、14nm FinFET,、10nm FinFETのトピックが紹介された。例えば、28nm FD-SOIに関しては、RF PDKが提供可能になったことや、埋め込みMRAMが開発中のことなど。14nm FinFETに関しては、4番目の「14LPU」のPDKが提供可能になったことなど。10nmFinFETに関しては量産が開始されたこと、2番目の「10LPP」が評価段階に入ったことなどである。

そして、Lin氏は、2020年までのプロセスロードマップを見せた。2018年には1部の層をEUV露光する7nm FinFETプロセスでの量産を始めるという。2019年には、EUVを使う6nm/5nm FinFETプロセス、および2世代目のFD-SOIである18nmの「18FDS」での量産を始める予定だとした。そして、バルクプロセスではFinFETの時代が終わり、同社独自のトランジスタであるMBCFETを使う4nmプロセスでの量産を2020年に始めるとしていた。
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/060900133/061200003/?P=1



28 :名刺は切らしておりまして:2017/06/21(水) 15:58:28.16 ID:dEkqaXUq.net

結局リーク電流制御に失敗する、に100ガバチョ

量子論の世界だな、4nmは



32 :名刺は切らしておりまして:2017/06/21(水) 16:21:24.34 ID:/vuN4RyD.net

イーロンマスク状態だな





39 :名刺は切らしておりまして:2017/06/21(水) 16:51:55.02 ID:n40PA4f4.net

それだけ微細化されると、もうトランジスタあたりの電荷数が
量子論的な話で無理とか言ってなかったっけ



40 :名刺は切らしておりまして:2017/06/21(水) 17:16:04.94 ID:8B9pFSVC.net

リーク問題って解決してるんだっけ



69 :名刺は切らしておりまして:2017/06/22(木) 13:07:39.18 ID:9yHWBi1t.net

誰も焼けないのに計画を妄想かよ
製造装置にカネを一切出してねぇのになwww



75 :名刺は切らしておりまして:2017/06/24(土) 23:23:58.19 ID:Zi7ZRGDC.net

ダブルパターニング、SADP



79 :名刺は切らしておりまして:2017/06/25(日) 01:57:47.97 ID:J/CwCowH.net

すごいな、日本の半導体は終わりそうだというのに




Source : http://anago.2ch.sc/test/read.cgi/bizplus/1498020882/
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